第4737号 ALD/CVD用安定化ヒドラジン！ やってます！！
Q：「RASIRC社 の ®Hydrazine は層堆積合成（ALD)が可能ですか？」
国内某大学研究機関よりお問い合わせを頂戴しました。
A：「ALD についてRASIRC社 ではこれまで本製品を使用しての
大学研究所とALD評価を実施しており、データを蓄積しているとのことです。」
低温窒化物用超乾燥ヒドラジンガスの BRUTEヒドラジンは・・・
次世代のプロセッサとメモリに必要な低温ALDの優れた高反応性窒化物ソースです！！
標準的な「無水」ヒドラジンは、0.2-2.0％の範囲の水濃度を有しますが BRUTE
ヒドラジンは、純度が液相で50ppm未満であり、気相で1.0ppm未満です。
BRUTEヒドラジン純度レベルは、半導体グレードのアンモニアに匹敵します。
BRUTE ヒドラジンは、溶液全体の引火点を上昇させる無水ヒドラジンと低蒸気圧の
有機溶媒を組み合わせています。 ヒドラジンは、気化器のヘッドスペース内に気化し
キャリアガスまたは真空搬送によって搬送されます。 不揮発性溶媒は蒸発せず、アン
プル内に残され、前駆体の蒸気圧は、キャリアガスの有無にかかわらず、真空下でALD
の実行可能なレベルに維持されます。
RASIRC BRUTEヒドラジンは、無水ヒドラジン（N2H4）ガスを原子層堆積（ALD）プロセス
に繰返し可能な方法で配送します。ヒドラジンと独自の溶媒を予め装填した気化器が含ま
400℃以下の温度で様々な金属窒化物堆積プロセスに使用できます。
・高均一性低温SiN
窒化シリコン材料は、誘電絶縁層、デバイス層、ライナー、スペーサ、エッチングハード
マスクおよびエッチストップを含む多くのメモリおよびロジックデバイス要素に使用され
ます。これらの様々な要素はすべて、3D構造、低い湿式エッチング速度、および優れた誘
電特性に関して高い均一性/共形性を有さなければならず、新たなデバイス要件には、低温
堆積が含まれ、これは熱アンモニアプロセスでは達成できません。
・低抵抗率
金属窒化物材料は、コンタクトバリア、DRAMのキャパシタ電極、CMOSのゲート電極、パッシ
ベーション層、ライナ及びキャップを含む多くのメモリ及びロジックデバイス素子に使用され
ています。これらの様々な素子は、デバイスサイズの縮小に伴って遭遇する寄生損失を最小限
に抑えるために、すべて低抵抗でなければなりません。
・ゲートスタックの最適化
ゲートスタックの最適化のために、研究者はSiGe、Ge、InGaAsなどの新しい高移動度チャネル
材料を研究して、より高速で小型で電力効率の高い電子デバイスの市場ニーズを満たしています。
TiN電極およびSiN側壁は、非常に薄く、欠陥のない膜のために低い熱的予算および低い抵抗率を
必要とします。
・好ましい熱力学
ヒドラジンの反応熱力学は、アンモニアと比較して低温堆積にはるかに有利で、アンモニアガス
を用いた熱ALDでは、高品質で低抵抗の膜を得るために、400〜600℃ の温度が必要です。
対照的に、ヒドラジンガスは、表面活性部位との反応のために高度に反応性のNN結合を有します。
・基材損傷なし
従来のプラズマ手法とは異なり、ヒドラジンガスは基板表面を損傷せず、プラズマはサイトライ
ンを必要とし、メモリアプリケーションで使用されるHAR構造の均一性の問題につながります。
プラズマ法によって生成された窒素は内部側壁を均一に被覆することができなく、ヒドラジンガ
スは低抵抗率を可能にし、後続の層においてより良好な電気的特性を支持します。
・低酸素
プラズマ法は、酸素を膜に組み込む傾向があり、低温アンモニアプラズマ法は、不完全な解離を
もたらし、残留水素NH結合を残します。これはサイクル当たりの成長が非常に低くなり、電気的
特性が悪くなり、プラズマパワーを上昇させると、HAR構造および他の非常に薄い膜に物理的損傷
を引き起こす可能性があります。対照的に BRUTEヒドラジンは、気相において1.0ppm未満の純度
レベルを有します。
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今日の埼玉県川口市のお天気は？
皇紀２６７８年（西暦２０１８年）
12月3日 月曜日 有明月
二十節気 小雪（しょうせつ） 六十候 橘始黄(たちばなはじめてきばむ)
※カタールのサード・アルカービエネルギー・産業相は天然ガスの生産に集中するため来年1月に
石油輸出国機構（OPEC）を脱退すると明らかにしました。
天気 はれ
今日のボンベ庫 朝10℃、昼12℃、夜14℃
本日のPM2.5 30μg/m 環境省そらまめ君より（さいたま市城南）
本日の電力最大消費率は？
（エレクトリカル・ジャパンElectrical Japanより）
北海道電78%、東北電95%、東電89%、中部電90%、北陸電85%
関西86%、中国電85%、四国電82%、九州電85%、沖縄電力72%
利根川上流域の関東８ダム貯水率は？
12/03 20:00 213,310千m3 80.6% 60.34m3/sec
（利根川ダム管理管理事務所河川情報より）
（藤原・相俣・薗原・矢木沢・奈良俣・下久保・草木および渡良瀬貯水池）
＊Twitter ﾗﾝｷﾝｸﾞ ついっぷるトレンドより
１位：戸田恵梨香、２位：ご飯論法
３位：流行語大賞４位：ネプリーグ、５位：ハマ
です。
ミゾイキクコ
@kikutomatu
1934年生まれ 84歳。
趣味・茶道、園芸、料理、写真、 お茶大理学部卒業。
ツイッター開始2010年1月28日。
著書:何がいいかなんて終わってみないとわかりません。
キクコさんのつぶやき（83歳の私がツイッターで伝えたいこと）。
月刊「3分クッキング」連載中。
「敗戦直後都内のビルやホテル、民間の住宅等がアメリカ軍に接収された。
GHQの本部にしたり将校達の住まいに使われたりした。
一般の兵士は病院の病棟に寝起きしていた。
私は敗戦の年の9月病気入院で学校を休んだが、病院の病棟がアメリカ軍
に接収されていたので近くの旅館に泊まり治療を受けた。」
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