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液相エピタキシー

 化合物半導体の工業的なエピタキシャル成長法は、液相エピタキシーと気相エピタキシー
とがあります。液相エピタキシー(Liquid Phase Epitxy)は光半導体素子用のエピタキシャ
ル・ウエハの製法として、赤外発光用LPE-GaAs(液相エピタキシーにより成長させたGa-As
)、高輝度赤外発光用のLPE-AlGaAs、赤色及び緑色発光用のLPE-GaP 、AlGaAs / GaAs 系
半導体レーザー、GaInAsP / InP 系半導体レーザー及び受光素子用などに用いられております。

 化合物半導体の量産はGaP または GaAs を基板とする液相エピタキシーで GaAs を例にとり
ますと Ga (29.8℃で溶融)の溶液に GaAs を溶かし込み、この溶液を GaAs 単結晶板にかぶ
せ除冷すると過飽和になった GaAs が GaAs 単結晶板の上に層状に析出します。このときにド
ーパントそして Si , Te , Zn を用い、GaP の場合には H2S , NH3 のようなドーピング用のガス
を用いる場合があります。Ga の溶液が酸化しないように不活性ガスの N2 ガスや還元性ガスの
H2 ガスの雰囲気中でエピタキシャル成長が行われます。横型液相成長炉のスライド式カーボン
ボートを使用する場合、ボート内に設けられた溶液溜からボートの下の基板ホルダー上の単結晶
基板の上に溶液をかぶる仕組みになっており、LPE成長システム内に酸素が混入しないよういろ
いろと工夫されています。
 緑発光用のLPE-GaP は回転スライド法で大きなカーボン円板内に収納された GaP 基板上に
溶液をかぶせることで同時に成長させることが出来ます。円板をモーターで回転させることで
均一の厚さの成長層に成長します。また、n型ドータント用H2S 、P型ドーパント用のバブラー
から蒸発させる Znガス、発光中心のドーパント用NH3 など、いずれもキャリアーガスの H2 , N2
により自由に成長室に流すことが出来、一度の成長で n型GaP とP型GaPのLPE成長層を一挙に成
長させます。H2S , NH3 , H2 , N2 ガスのボンベから配管系は排気装置に接続され、万が一漏れが
あったときにに安全性が守られLPE成長室からの排ガスはガス処理装置を経てスクラバーなどガス
洗浄装置に導かれております。

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今日の埼玉県川口市のお天気は>
 2011年11月17日 木曜日
 ※プロ野球の「コナミ日本シリーズ2011」第5戦は17日、名古屋市のナゴヤドームで行われ
  ソフトバンクが5―0で中日を破り敵地で3連勝、対戦成績を3勝2敗としてダイエー時代の
  2003年以来8年ぶりの日本一に王手です。

 天気 はれ
 ボンベ庫の温度 朝12℃、昼14℃、夜13℃

です。

<失うのは、次を得るためだから>

 いい流れとは、何かしら流れ続けている状態

 悪い流れとは、留まって変化していない状態

 失う、壊れる、別れ、損する、亡くす…

 流れを味方にするには

 流れゆくままに自然に生きること

 執着、固執、復讐、独占、囲い込み…

 流れ出ないようにするのは

 不自然な生き方

 出るのを止めたら

 新たなる流れも入ってこなくなる

 たとえ多くを失ったとしても

 必要なものは必ず残るようになっている

 いや!正確には

 失ったのではなく

 天地自然にお返しただけ

 次へ進むべきときは

 必要な分だけちゃんと授かる

(小田真嘉氏成長のヒントブログより)

 by との

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