液相エピタキシー
化合物半導体の工業的なエピタキシャル成長法は、液相エピタキシーと気相エピタキシー
とがあります。液相エピタキシー（Liquid Phase Epitxy）は光半導体素子用のエピタキシャ
ル・ウエハの製法として、赤外発光用LPE-GaAs（液相エピタキシーにより成長させたGa-As
）、高輝度赤外発光用のLPE-AlGaAs、赤色及び緑色発光用のLPE-GaP 、AlGaAs / GaAs 系
半導体レーザー、GaInAsP / InP 系半導体レーザー及び受光素子用などに用いられております。
化合物半導体の量産はGaP または GaAs を基板とする液相エピタキシーで GaAs を例にとり
ますと Ga （29.8℃で溶融）の溶液に GaAs を溶かし込み、この溶液を GaAs 単結晶板にかぶ
せ除冷すると過飽和になった GaAs が GaAs 単結晶板の上に層状に析出します。このときにド
ーパントそして Si , Te , Zn を用い、GaP の場合には H2S , NH3 のようなドーピング用のガス
を用いる場合があります。Ga の溶液が酸化しないように不活性ガスの N2 ガスや還元性ガスの
H2 ガスの雰囲気中でエピタキシャル成長が行われます。横型液相成長炉のスライド式カーボン
ボートを使用する場合、ボート内に設けられた溶液溜からボートの下の基板ホルダー上の単結晶
基板の上に溶液をかぶる仕組みになっており、LPE成長システム内に酸素が混入しないよういろ
いろと工夫されています。
緑発光用のLPE-GaP は回転スライド法で大きなカーボン円板内に収納された GaP 基板上に
溶液をかぶせることで同時に成長させることが出来ます。円板をモーターで回転させることで
均一の厚さの成長層に成長します。また、n型ドータント用H2S 、P型ドーパント用のバブラー
から蒸発させる Znガス、発光中心のドーパント用NH3 など、いずれもキャリアーガスの H2 , N2
により自由に成長室に流すことが出来、一度の成長で n型GaP とP型GaPのLPE成長層を一挙に成
長させます。H2S , NH3 , H2 , N2 ガスのボンベから配管系は排気装置に接続され、万が一漏れが
あったときにに安全性が守られLPE成長室からの排ガスはガス処理装置を経てスクラバーなどガス
洗浄装置に導かれております。
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今日の埼玉県川口市のお天気は＞
2011年11月17日 木曜日
※プロ野球の「コナミ日本シリーズ２０１１」第５戦は１７日、名古屋市のナゴヤドームで行われ
ソフトバンクが５―０で中日を破り敵地で３連勝、対戦成績を３勝２敗としてダイエー時代の
2003年以来8年ぶりの日本一に王手です。
天気 はれ
ボンベ庫の温度 朝12℃、昼14℃、夜13℃
です。
＜失うのは、次を得るためだから＞
いい流れとは、何かしら流れ続けている状態
悪い流れとは、留まって変化していない状態
失う、壊れる、別れ、損する、亡くす…
流れを味方にするには
流れゆくままに自然に生きること
執着、固執、復讐、独占、囲い込み…
流れ出ないようにするのは
不自然な生き方
出るのを止めたら
新たなる流れも入ってこなくなる
たとえ多くを失ったとしても
必要なものは必ず残るようになっている
いや！正確には
失ったのではなく
天地自然にお返しただけ
次へ進むべきときは
必要な分だけちゃんと授かる
（小田真嘉氏成長のﾋﾝﾄﾌﾞﾛｸﾞより）
by との