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化合物半導体のボート成長法

化合物半導体のボート成長法とは?

単結晶をボート形状をした容器の中ですくることからその名前がつきました。

ボート材料には熱の歪みの少ない高純度の石英が使用されています。成長法の概要
としては、二部屋に分かれた石英室の一方に As を置き、もう片方の石英室に Ga と
GaAs 単結晶のタネを乗せた石英ボートを入れた後にそれぞれの反応炉を真空密閉し
てセットします。炉を昇温することで一方の As を昇華させ、もう片方の石英室に導
くことで Ga と反応させて GaAs メルトを生成させます。あとに生成した GaAs メル
トをタネ結晶に接触させてタネ結晶側から徐々に固化させて結晶を作ります。
 As は、600〜610℃で昇華が始まり高い蒸気圧を持ち、GaAs の反応が石英室で行
われるので耐圧と急激な昇温を避けなければ問題があります。ボート成長炉をフード
内に設置することが大切です。成長した結晶の取り出しには、結晶に衝撃を与えない
よう石英室を破壊して取り出す必要があります。
 ボート成長法には、水平ブリッジマン法(ホリゾンタル・ブリッジマン法)と温度
傾斜凝固法(グラジェント・フリーズ法)とがあります。水平ブリッジマン法は反応
炉の温度分布を一定に保つことに石英室を移動して、GaAs メルトをタネ結晶側から
冷却させる方法です。温度傾斜凝固法は反応炉内の温度分布に傾斜を保たせたままに
炉内温度を冷却させる方法です。

化合物半導体用のアンモニア供給設備、アンモニアガス配管工事など
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今日の埼玉県川口市のお天気は?
 2011年11月15日 火曜日
 ※サッカー北朝鮮チームに日本チームは 0-1 で敗退しました。
  ザック監督は「(完全アウェーという)厳しい環境の中で、フィジカルを前面に
  押し出した北朝鮮に攻め込まれた。」とコメントしました。

 天気 はれ
 ボンベ庫の温度 朝12℃、昼18℃、夜14℃

です。

北極流今日の開運メッセージブログより

誰にでも良い顔をして

誘われたら誰にでもついていく。

そんな八方美人的な生き方は

己のエネルギーを著しく下げる。

そして、人からエネルギーを奪う。

そんな人のことを「さげまん」という。

大切な人・エネルギーを注ぐべきことがわかっていて

“大事なこと”のために

エネルギーをためることができる人。

それが、「あげまん」なんだ。

by との

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