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化合物半導体の製造工程

 GaAs(ガリウムヒ素)、GaP(ガリウムリン)などに代表される化合物半導体は
Si(シリコン)では難しい光半導体素子やオプトエレクトロニクス素子、超高周波
超高速デバイス用半導体にかかせないものとして発展進歩してきました。

それではSiやGeなどの元素半導体と比べ化合物半導体とはどのような特長があるので
しょうか?

 化合物半導体は、二成分以上の元素からなります。融点における成分の蒸気圧がシリ
コンに比べ高いため多結晶合成や単結晶成長で蒸気圧の高い成分元素が高温で蒸発した
り漏れたいしないよう、化合物半導体特有の引上法やボート法などを採用しています。
シリコン同様に高純度化が必要で成分元素の化学当量比(ストイキオメトリ)を精密に
制御する必要があります。また、シリコン同様単結晶ウエハに不純物イオンを注入して
デバイスの動作層とする場合もありますが単結晶ウエハに成長させたエピタキシャル成
長層を用いて製造され、化合物半導体の種類や応用デバイスの種類によりそれぞれ適し
たエピタキシーが採用されております。エピタキシャル製造設備も化合物半導体特有の
ものであり、単結晶製造工程とエピタキシー(エピタキシャルウエハの製造工程)があ
ります。

単化粧製造工程 
 引上法(GaAs,GaPなど) 
 ボート法(GaAs)
 ※多結晶合成、前処理、単結晶成長、スライシング、ラッピング、ポリッシング

エピタキシー工程
 液相エピタキシー(GaAs,GaPなど)
 FTE用気相エピタキシー(GaAs)
 LED用競うエピタキシー(GaAS,GaP,GaAsP)
 ※エッチング、洗浄、乾燥、エピタキシャル成長、検査

単結晶製造工程の引上法はLEC法(液体カプセル引上法)が一般的で、ボート法はHB法
(水平式ブリッジマン法)とGF法(温度傾斜凝固法、グラジェント・フリーズ法)など
があります。エピタキシー工程には目的により、液相エピタキシー、FET用気相エピタキ
シー、LED用気相エピタキシーがあります。
 この他にMO-CVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)やMBE(Molecular
Beam Epitaxy)などがありMO-CVDはLED製造には欠かせない装置にまで進化・発展を
遂げています。

MO-CVD 用ガス供給設備、流量制御設備、除害設備、MO-CVD用ガス配管工事まで
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今日の埼玉県さいたま市のお天気は?
 2011年11月13日 日曜日
 ※全国のB級ご当地グルメの祭典「B―1グランプリin姫路」兵庫県姫路市の姫路城
  周辺で開幕しおよそ20万人の来場者が見込まれております。

 天気 はれ
 気温 15℃(PM6:30)

です。

「自分事ばかりだと、不利になるばかり」

 失敗したくない

 失いたくない

 面倒なことやりたくない

 そうやって自分を守るほど

 人のエネルギー(やる気、元気、勇気、運気、幸せ…)を奪うようになり

 そうやって奪ったモノは

 すぐに、どこかに消えていく

 大切な人のために

 多少は損しても

 ちょっと大変でも

 自分ができることをしようとするから

 人にエネルギーを与えることができる

 そうやって与えたモノは

 めぐりにめぐって

 忘れた頃に

 意外な所から返ってくる

(小田真嘉氏成長のヒントブログより)

 by との

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