FET用気相エピタキシー
気相エピタキシー（Vapor Phase Epitaxy）には、AsやPの原料としてAsCl3やPCl3を使用する
塩化物VPEと、AsH3やPH3を使用する水素化物VPEがあります。
マイクロ波デバイス用のVPE法はAsCl3を原料とするVPEでGaAsのVPEウエハ製造工程で単結晶
基板の前処理（エッチング、洗浄、乾燥）はLPEと同じで、エピタキシャル成長時にはH2S
SiH4などのドーピングガスを使用します。キャリアーガスにはH2が使用され、パージにN2が使用
されます。FTE用VPE法では原料のAsCl3とGaを約800℃の水素雰囲気中で反応させ、反応管内に
GaCl蒸気とAs蒸気を作ってガスの下流に置かれたGaAs単結晶基板上に単結晶GaAsの薄膜を積層
させます。一般的にn型不純物用ドーピングガスはH2Sが使用され、SiH4の場合も稀にあります。
FTE用VPEは 4GaCl + AS4 +2H2 → 4GaAs + 4HCl となり排ガス中にはHClが存在します。
FET用VPE-GaASの量産システムでは石英製基板ホルダーにセットされた複数のGaAS単結晶板
をモーターで回転させながら成長させます。キャリヤーガスのH2ガスの流量制御や成長温度など
も自動制御されます。AsCl3の配管系やHCl・As4のある反応管、ドーピングガスのボンベなどは
排ガス処理装置＋スクラバーに接続して処理をされます。
MO-CVDなどのガス供給系、ガス流量制御系、排ガス処理装置など
川口液化ケミカル株式会社までご相談下さい。
TEL 048-282-3665
FAX 048-281-3987
E-mail : CutHere@klchem.co.jp
※ｱﾄﾞﾚｽ前のCutHereはｽﾊﾟﾑ対策ですので削除願います。
ありがとうございます
今日の埼玉県川口市のお天気は？
2011年11月18日 金曜日
※素粒子ニュートリノが光速より速く飛行するという実験結果を９月に発表していた名古屋大など
国際共同研究グループは今月初めまでの再実験でほぼ同様の結果が得られたと発表しました。
天気 はれ
ボンベ庫の温度 朝13℃、昼14℃、夜12℃
です。
受験生が使ってはいけない言葉5
（大学受験塾ﾐｽﾀーｽﾃｯﾌﾟｱｯﾌﾟ専任講師村田明彦氏ﾌﾞﾛｸﾞより）
「できたと思っていたんですけど」
ミスしていた。
できていなかった。
得点できていなかった。
受験では、そのセリフは通用しません。
できたと思っていたけど、できていなかった。
わかったと思っていたけど、わかっていなかった。
そこから抜け出すためには？
簡単にできた！
簡単にわかった！
と思わないことです。
本当にできているのかな？
本当にわかっているのかな？
とたえず、疑い、確認する。
見る角度をかえてみる。
勉強の感覚を伸ばしていくためには、
「自分はできている」と満足しないことです。
現状を壊していくことで、進歩し、向上するのです。
by との