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ECR Plasma CVD System

 プラズマCVDは1970年代に半導体用プロセスとして発展しました。
その一種である ECR プラズマCVDは、プラズマ放電の発生方法や
プラズマ発生室と反応室を分けているところが他のプラズマCVDと
異なります。

 マイクロ波動波管と連結して周囲に磁場発生機構が設けられたプラ
ズマ室とプラズマ室で発生した高密度プラズマをイオン源として反応
性ガスが効果的に励起される反応室とに分かれ、基板は反応室側にホ
ールドされています。
 プラズマ室で発生したマイクロ波放電励起のプラズマ中の電子が設
けられた磁場によって電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron
Resonance )状態であるため ECR プラズマ CVDと呼ばれています。

 特徴としては、マイクロ波と磁場により高密度プラズマが発生する
ため、高濃度の活性種が生成でき、基板上に低温で緻密で高品質な成
膜を形成することができます。
 欠点としては、 ECR プラズマ発生源を搭載した装置が比較的高価
で、設備自身がかなり大掛かりになるため、メンテナンス性や、改造
が難しく困難な場合があります。

真空装置の真空チャンバー製作、補修、リークテストや真空ポンプのオーバーホールメンテナンス
ガス導入系の拡張、排ガス除害装置の設置など
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ありがとうございます

今日のさいたま市のお天気は?
 2011年4月17日 日曜日
 天気 はれ
 気温 16℃ (PM5:30)

です。

「 キャパを超えるテーマ」

自分のキャパが100だとして、

80のことにしかやっていなければ、自分のキャパは広がりません。

自分のキャパ以上のことをやって初めてキャパが広がります。

成績を上げるのも同じです。

自分の限界に挑んでいないので「これが限界!」なんていえない。

とことんやってみることで、見えるものがあります。

早くから、とことんやっていないウチから

「どうせできないよ。」

「私なんか」

と壁を作っていても始まりません。

もちろん、最初から逃げ腰では、何も見えてはきませんが。

(大学受験塾ミスターステップアップ 専任講師村田明彦氏 ブログより)

 by との

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