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RIE用ガス

 原子レベルの小さなノミになるイオンを作り、電界で加速して基板をたたく
リアクティブイオンエッチングには、とても数多くのガスが利用されます。

材料ガス  反応ガス
poly-Si   Cl2 , Cl2 / HBr , Cl2 / O2 , CF4 / O2 , Cl2 / N2 , Cl2 / HCl , HBr / Cl2 , SF6
Si     SF6 , C4F8 , CBrF3 , CF4 / O2 , Cl2 , SiCl4 / Cl2 , SF6 / N2 / Ar , BCl2 / Cl2 / Ar
Si3N4    CF4 , CF4 / O2 , CF4 / H2 , CHF3 / O2 , C2F6 ,CHF3 / O2 / CO2 , CH2F2 / CF4
SiO2    CF4 , C4F8 / O2 / Ar , C5F8 / O2 / Ar , C3F6 / O2 / Ar , C4F8 / CO , CHF3 / O2
Al      CCl4 , BCl3/ Cl2 , BCl3 / CHF3 / Cl2 , BCl3 / CH2 / Cl2 , B / Br3 / Cl2 , BCl3 / Cl2 / N2
Cu     Cl2 , SiCl4 / Cl2 / N2 / NH3 , SiCl4 / Ar / N2 , BCl4 / N2 / Ar , BCl3 / N2 / Ar
Ta2O5   CF4 / H2 / O2
TiN     CF4 / O2 / H2 / NH3 , C2F6 / CO , CH3F / CO2 , BC3 / Cl2 / N2 , CF4

常温モデルでは、活性ラジカルがあらゆる面を等方エッチングしそうですが、底部
を直撃するイオンによる活性点の反応がはるかに速く、きっちりした孔や溝を作り
ます。側壁を保護するテーパーエッチングでは、シリコン基板に炭素を含む反応ガス
CBrF3 を使うとプラズマ中で有機物が合成されて側壁に付着して保護膜として働く
テーパーが付くのです。また、低温化による側壁のエッチングを凍結したRIE は、基
板の温度を -100℃で行うと、側壁での化学反応は進行せず、パターンに忠実に底部
のみのエッチングが行われ底面の丸みが得られるのです。

目的のエッチング材にはそれに合った反応ガスを選ぶことがポイントになります。

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ありがとうございます

今日の埼玉川口のお天気は?
 2011年2月23日 水曜日
 天気 はれ
 ボンベ庫の温度 朝5℃、昼8℃、夜11℃

です。

自分で自分の心と頭と体に問いかけてみる 

仕事で結果を出すには、知識や能力が大事でもなく

家庭が円満になるには、性格や相性が重要でもなく

良い人生を歩むには、環境や運が必要なのでもない

 全てにおいて必須なことは

 「なぜ?」「どうしたら?」「本当に?」

 「逆に…」「もし…」「そもそも…」など

 そのための適切な問いかけをし続けること

 「問い」を忘れたとき、やめたとき、妥協したとき

 成長は止まり、衰退が始まる

 「問い」はアンテナとなり

 必要なモノを勝手に受信してくれ

 進むべき方向を教えてくれる
(小田真嘉氏 成長のヒントブログより)

 by との

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