プラズマ・光CVDの原料ガス
薄膜の製法に用いる主なCVD薄膜と原料ガスを見てみましょう。
一般的には P-CVD により膜の組成は
ガスの流量・生成圧力・基板温度RFパワーなどに依存します。
薄膜 SiO2 原料ガス ：SiH4,SiHCl3,SiH2Cl2,SiH3Cl,SiCl4,SiBr4,SiI4,SiF4,
Si(OC2H5)2 + O2,NO,NO2,N2O,CO,CO2+H2,H2O
絶縁膜
薄膜 PSG 原料ガス ：SiO2の原料 + PH3
BSG 原料ガス ：SiO2の原料 + B2H6
ASG 原料ガス ：SiO2の原料 + AsH3
BPGS 原料ガス ：PSGとBSGの原料,PO(OCH3)3
GSG 原料ガス ：SiO2の原料+GeH4
Si3H4 原料ガス ：SiH4,SiHCl3,SiH2Cl2,SiH3Cl,SiCl4,SiBr4 + NH3,N2H4,N2,H2
SiOxNy 原料ガス ：SiO2の原料 + SiN2H3の原料
Al2O3 原料ガス ：AlCl3,Al(CH3)3,Al(C2H5)3,Al(OC3H7)3 + CO2+H2,O2,H2O
TiO2 原料ガス ：TaCl4 + CO2+H2O,N2O+H2
Ti〔(CH3)2CH-CH2-O〕4
Ta2o5 原料ガス ：TaCl5 + CO2+H2,N2O+H2
TaCl2(OC2H5)2C2H7O2
Ta(OC2H5)5
半導体膜
薄膜 Si 原料ガス ：SiH4,SiHCl3,SiH2Cl2,SiCl4 + Ar,H2
Ge 原料ガス ：GeH4 + Ar,H2
金属膜
薄膜 Al 原料ガス ：AlCl3,Al((CH3)3,Al(C2H)3 + H2
W 原料ガス ：WF6,WCl6,W(CO6) + H2,Ar
Mo 原料ガス ：MoF6,MoCl5,Mo(CO)6 + H2,Ar
Fe 原料ガス ：Fe(CO)5 + H2
Cr 原料ガス ：Cr(CO)6 + H2
Pt 原料ガス ：Pt(CO2)Cl2 + H2
MoSi2 原料ガス ：MoF6,MoCl5 + SiH4+H2
WSi2 原料ガス ：WF6,WCl6 + SiH4+H2
TaSi2 原料ガス ：TaCl5 + SiH4+H2
TiSi2 原料ガス ：TiCl4 + SiH4+H2
実際には、さらに多種多様な原料ガスの組み合わせがありますが、更に多くの
新たな原料が登場しております。
CVD装置用原料ガスや金属錯体、薬液など特殊ガス、特殊ガス機器、特殊ガス配管工事
のことなら川口液化ケミカル株式会社まで、ご相談ください。
TEL 048-282-3665
ありがとうございます
今日の埼玉県川口市のお天気は？
7月29日 木曜日
天気 あめ
ボンベ庫の温度 朝28℃、昼27℃、夜26℃
です。
夏日が続いていたので、体に優しく感じる一日でしたね。
雨の潤いと、ときおり強く吹く風の涼しさが心地よかったです。
ｂｙ との