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プラズマ・光CVDの原料ガス

 薄膜の製法に用いる主なCVD薄膜と原料ガスを見てみましょう。
一般的には P-CVD により膜の組成は
ガスの流量・生成圧力・基板温度RFパワーなどに依存します。

薄膜 SiO2  原料ガス :SiH4,SiHCl3,SiH2Cl2,SiH3Cl,SiCl4,SiBr4,SiI4,SiF4,
                    Si(OC2H5)2 + O2,NO,NO2,N2O,CO,CO2+H2,H2O

絶縁膜
薄膜 PSG  原料ガス :SiO2の原料 + PH3
    BSG  原料ガス :SiO2の原料 + B2H6
    ASG  原料ガス :SiO2の原料 + AsH3
    BPGS 原料ガス :PSGとBSGの原料,PO(OCH3)3
    GSG  原料ガス :SiO2の原料+GeH4
    Si3H4 原料ガス :SiH4,SiHCl3,SiH2Cl2,SiH3Cl,SiCl4,SiBr4 + NH3,N2H4,N2,H2
    SiOxNy 原料ガス :SiO2の原料 + SiN2H3の原料
    Al2O3 原料ガス :AlCl3,Al(CH3)3,Al(C2H5)3,Al(OC3H7)3 + CO2+H2,O2,H2O
    TiO2  原料ガス :TaCl4 + CO2+H2O,N2O+H2
                  Ti〔(CH3)2CH-CH2-O〕4
    Ta2o5 原料ガス :TaCl5 + CO2+H2,N2O+H2
                  TaCl2(OC2H5)2C2H7O2
                  Ta(OC2H5)5

半導体膜
薄膜 Si    原料ガス :SiH4,SiHCl3,SiH2Cl2,SiCl4 + Ar,H2
    Ge   原料ガス :GeH4 + Ar,H2

金属膜
薄膜 Al    原料ガス :AlCl3,Al((CH3)3,Al(C2H)3 + H2
    W    原料ガス :WF6,WCl6,W(CO6) + H2,Ar
    Mo   原料ガス :MoF6,MoCl5,Mo(CO)6 + H2,Ar
    Fe    原料ガス :Fe(CO)5 + H2
    Cr    原料ガス :Cr(CO)6 + H2
    Pt    原料ガス :Pt(CO2)Cl2 + H2
    MoSi2 原料ガス :MoF6,MoCl5 + SiH4+H2
    WSi2  原料ガス :WF6,WCl6 + SiH4+H2
    TaSi2  原料ガス :TaCl5 + SiH4+H2
    TiSi2  原料ガス :TiCl4 + SiH4+H2

実際には、さらに多種多様な原料ガスの組み合わせがありますが、更に多くの
新たな原料が登場しております。 

CVD装置用原料ガスや金属錯体、薬液など特殊ガス、特殊ガス機器、特殊ガス配管工事
のことなら川口液化ケミカル株式会社まで、ご相談ください。
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今日の埼玉県川口市のお天気は?
 7月29日 木曜日
 天気 あめ
 ボンベ庫の温度 朝28℃、昼27℃、夜26℃

です。

夏日が続いていたので、体に優しく感じる一日でしたね。
雨の潤いと、ときおり強く吹く風の涼しさが心地よかったです。

 by との

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