Chemical Vapor Deposition
ちょっと古いのですが、成膜装置のＣＶＤについてご紹介いたします。
CVDで成膜する主なガスを使用しての反応膜は？
SiO2 SiH4 + O2 → SiO2 +H2
PSG SiH4 + PH3 + O2 → SiO2 + P2O5 + H2
Si3N4 SiH2Cl2 + NH3 → Si3N4 + HCl + H2
ﾎﾟﾘSi SiH4 → Si + H2
W WF6 + Si → W + SiF4
WSi2 WF6 + SiH4 → WSi2 + HF + H2
などです。
CVDは、高温での化学反応で酸化膜や窒化膜などなどの薄膜をウエハー上に
堆積させる方法で、SiO2膜はシラン(SiH4) を酸素と反応させて作られます。
層間絶縁膜に用いられる PSG(Phospho-Silicate Glass) を作る場合に、ﾎｽﾌｨﾝ
(PH3) を添加すると P が SiO2 に取り込まれて PSG ができます。
窒化膜 Si3N4 は、アンモニア(NH3) とジクロルシラン(SiH2Cl2) あるいは SiH4
との反応で作られます。ポリシリコンも SiH4 の熱分解で作られ、金属膜のタング
ステン(W) やタングステン・シリサイド (WSi2) も化学反応で作られます。
ＣＶＤ成膜の方法には減圧ＣＶＤと常圧ＣＶＤの２種類があり、減圧ＣＶＤは
LPCVD ( Low Pressure CVD ) といわれ、大気圧の 1/100 ～ 1/1000 の低い
圧力で成膜されます。低圧のためにガス分子同士が衝突する機会が減り、広範
囲にわたりガス濃度が均一になるため、膜の成長も均一になるのです。常圧CVD
は大気圧での成長ですから膜圧の均一性はＬＰＣＶＤに比べ劣りますが、ガス
分子の数が多いので膜の成長速度が早い特徴があります。
ＣＶＤ膜の成長温度を下げるためには、光ＣＶＤで水銀ランプやエキシマレーザー
の紫外線を炉内のガス（SiH4,Si2H6)に当ててガスの分解を促進させた結果、低
温での反応が可能になります。プラズマＣＶＤでは、減圧下での放電で発生した
ラジカルの高い活性度によって、低温での反応が可能になるのです。
各種ＣＶＤで使用する、ガス供給系、ガス制御機器、装置組込ガス配管
特殊ガス配管工事など、川口液化ケミカル株式会社までご相談ください。
ＴＥＬ ０５０－８８８１－７３９３
ありがとうございます
今日の埼玉県川口市のお天気は？
７月１２日 月曜日
天気 曇りのち雨
ボンベ庫の温度 朝25℃、昼27℃、夜26℃
です。
「自分のせいじゃない」 なんて、小さなことを言ってちゃ
いつまでも 「器」 は、小さいままだ。
どれだけ損をして、どれだけ許せたか。
それが、あなたという「器」。
ｂｙ との