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RIE工程

 RIE(リアクティブイオンエッチング)は、電極の上のシリコン
基板低真空で接地させた対極との間にグロー放電を発生させ
放電下でCF4やCCl4などのような反応ガスを導入します。
 このガスをイオン化させともに加速させ基板上に衝突させ、
表面をエッチングするものです。特徴は異方性エッチング(縦と
横のエッチング速度が異なる)などで微細化に有効です。

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今日の埼玉のお天気は?
 3月24日
 天気 雨のち曇り
 ボンベ庫の温度 昼8℃、夜9℃

です。
カンブリア宮殿で営業の極意のについて放映してました。
「失敗を繰り返し、次こそはなんとか!」
という想いがひとつのポイントだとか。

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