イオン注入工程
シリコン半導体の加工工程の4回目でイオン注入工程です。
不純物の導入には拡散法とイオン注入法があります。高精度
で導入する場合や薄膜を介しての導入に多用されています。
イオン注入法ではドーピング物質を高真空の中でイオン化して
これを高電界で加速させ、シリコンウエハ（基板）に注入するもの
で、イオン化性と制御性に特殊材料ガス（BF3,PH3など）が利用
されます。不要なイオンは注入されないように磁界で質量分離
させるのです。ｶﾞｽ供給源からイオン源を介し質量分離部、加速器
走査部を経て注入部であるウエハにイオンを注入します。
高真空部の真空排気系ポンプの更新やメンテナンス、ＤＲＹポンプ
ＣＲＹＯポンプへのドライ化など川口液化ケミカル株式会社まで
お気軽にご相談ください。
ＴＥＬ 048-282-3665
ありがとうございます。
今日の埼玉のお天気は？
3月22日
天気 はれ
気温 9℃
です。
桑田選手がパイレーツで開幕を迎えられるかどうか
凌ぎを削り残る投手枠競争をしているそうです。
肘と同じように整形手術のジョーブ博士に足首を
施術してもらったお陰で傷の痛みを癒えて、39歳の今
本気で野球を出来る境遇を楽しんでいるとのコメントが
ありました。
素晴らしいネバーギブアップ精神ですね。