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拡散工程

 シリコン半導体の加工工程シリーズ3回目の拡散工程です。

 シリコンウエハ(通称:ウエハ)を800℃から1200℃の高温
で加熱し所要のドーピング物質(不純物、通称:ドーパント)を含
んだ雰囲気にすると、不純物が熱拡散によってウエハの表面か
ら内部に浸み込みます。
 ウエハ中の不純物濃度以上に電気的に反対(P/n型)の不
純物が浸み込むと、ウエハ表面近くに接合層と呼ばれる部分が
できます。これが電気的整流作用の原因となります。ドーピング
物質にオキシ塩化リンなどと共にホスフィンやジボランなどの特殊
ガスが利用されます。

特殊ガス、特殊ガス供給設備、特殊ガス用マスフロコントローラー
など川口液化ケミカル株式会社までお気軽にご相談ください。

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ありがとうございます。

今日の埼玉川口のお天気は?
 3月21日
 天気 雨のち曇り
 ボンベ庫の温度 朝7℃、昼10℃、夜13℃

です。
夜の月が薄い雲の隙間からぼんやりと見え
月光が霞んで不思議な絵になってました。
満月ではないのですがまん丸で明るい月でした。

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