単結晶工程
ガスを伴う半導体の分野で工程ごとにお知らせします。
本日は、「単結晶工程」です。
半導体素子に使用するために、シリコン多結晶を単結晶
にします。単結晶化にはチョクラルスキー（ＣＺ）法と浮遊帯
域（ＦＺ）法とがあります。そのうちの浮遊帯域法はシャフト
状の多結晶棒の端部から高周波加熱して加熱部を移動さ
せ単結晶化させます。この結晶成長時にＰＨ３（ホスフィン）
やＢ２Ｈ６（ジボラン）を微量流し多結晶を所望の抵抗値を持
つＰ型あるいはＮ型半導体にします。加熱部はシリコンの融
点である１４１４℃付近となっており、ドーピングに微量の特
殊材料ガスが用いられております。
特殊ガス、特殊ガス機器、特殊ガス配管のことなら
川口液化ケミカル株式会社までお気軽にご相談ください。
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ありがとうございます。
今日の埼玉のお天気は？
３月１９日
天気 曇りのち雨
ボンベ庫の温度 昼１２℃、夜１３℃
です。
雨が降ると植物がうれしがっているような気がします。
もちろん社会生活をしている突然の雨や予期せぬ降雨
は傘がなくて困ったり感じてしまいがちですが、本来は
必然なものですよね。