ＣＶＤ 気相化学成長法
薄膜にしたい材料であるシリコンの化合物としてモノシラン
（シリコンと水素の化合物）や塩化シリコンの気体を高温に
加熱された基板表面で化学反応を起こさせて基板の表面に
シリコン薄膜をつくり残った水素を排気します。
常圧で反応を起こさせる常圧ＣＶＤ法と、１０〜１００Ｐａの真
空下で反応を起こさせる低圧ＣＶＤ法があります。より均一な
薄膜ができる低圧ＣＶＤは基盤の加熱温度を約１０００℃にし
なけらばならず、高温加熱が不可欠です。そのため高周波を
組み合わせることでプラズマを発生させて３００〜４００℃の加
熱でも効果があるのがプラズマＣＶＤです。
ＣＶＤ法は、炭化物から窒化物、酸化物などの化合物の薄膜
を作れます。
ウエハや薄膜の材料、薄膜の用途など最適な方法で薄膜を
作りますが、問題はウエハとの付着強度や薄膜内部の欠陥など
があります。付着強度は、基盤が汚れていることによる問題です
ので表面上のクリーニングは重要です。微小なゴミは配線の断
線や短絡、薄膜成長の欠陥の核になるのです。
薄膜が出来上がるとＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で検査をし、
超格子を作成する場合は真空を破ることなく、ＡＥＳ（オージェ電子
分光法）やＸＰＳ（光電子Ｘ線分光法）、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子
回折）などで薄膜の出来上がりを検査するのです。
真空装置のコンポーネントや真空計、真空ポンプなど
川口液化ケミカル株式会社までお気軽にご相談ください。
ＴＥＬ 048-282-3665
ありがとうございます。
今日の埼玉のお天気は？
３月１１日
天気 はれ
ボンベ庫の温度 朝６℃、昼１３℃
です。
水素と二酸化炭素があれば生物は誕生する。
生物はなんで生きているのか？
頭の良い先生とは、単純に物事の説明ができる
ことなのだそうです。