CVD工程

ガスの知恵袋 　2008年03月23日

　シリコン半導体の加工工程5回目のお知らせです。

　ＣＶＤ工程は、ケミカルベーパーデポジションの略で特殊材料ガスを
利用し、シリコンウェハ表面近くで化学反応を行い、基板上に薄膜を
形成します。薄膜は酸化膜などの絶縁膜や半導体膜、金属膜などが
あります。エピタキシャル成長膜が高温による処理なのに比べ、多結
晶シリコン膜でも600〜700℃で、一般的には400℃前後で低温反応
なのが特徴です。この反応にはエネルギーが必要で、一般には熱を
利用し、放電プラズマの併用や光エネルギーなども利用されております。
酸化膜では酸素を利用し、窒化膜ではアンモニアなどを利用し反応させ
形成させます。

特殊材料ガス、酸素ガス、アンモニアガスなど
川口液化ケミカル株式会社までお気軽にご相談
ください。

ＴＥＬ　048-282-3665

ありがとうございます。

今日の埼玉のお天気は？
　3月24日
　天気　はれ
　気温　11℃
です。
ＮＨＫ大河ドラマで篤姫が薩摩から京へ旅立ちましたね。
「あなたらくし、元気であれば、それでよい。」
多くを望むのでなく、元気が一番ということですね。